公司动态详情返回动态列表>
MDT10F630兼容PIC16F630
2017-04-19
MDT10F630,(完全兼容PIC16F630,FLASH,内置EEPROM,多次擦写，内置振荡)
特性:ROM:1K,脚位:14,PINI/O:12PIN,复位时间极快.2V,低电压工作.低功耗,温度范围宽。
MDT10F630
1. 概述：
这个8 位微控制器是由完全静态CMOS技术设计，
集高速、体积小、低功耗和高抗干扰性一体的芯
片。内存包括1K 字节的FLASH ROM,128K 字节的EEPROM 和64 字节静态RAM。
2 、特点：
完全的CMOS 静态设计
8 位数据总线
FLASH ROM 的大小: 1 K 字节
内部RAM 大小: 64 字节
(64 个通用目标寄存器)
EEPROM 大小:128 字节
37 条单指令
14 位指令长度
8 级堆栈
工作电压: 2.3V ~ 5.5 V
自振式看门狗定时器
中断电容
定时器0 : 带3 Bit 预分频器8Bit 定时器
定时器1 : 带2 Bit 预分频器16Bit 定时器
1 个模拟比较器模块
省电睡眠模式
PA 电平变化中断唤醒
上电复位
12 个可独立直接控制I/O 口
3. 应用
MDT10F630 的应用范围从发动机控制器，高速自动
电机（电车）到低电源遥控发射、接收器，面向设备
装置，无线电通讯，如遥控器，小型设备，玩具，汽
车和键盘等等。
4. 引脚分配
MDT10F630P11 (DIP)
MDT10F630S11 (SOP)
Vdd 1 14 Vss
OSC1/PA5 2 13 PA0/CIN+
OSC2/PA4 3 12 PA1/CIN-
PA3 4 11 PA2/INT
PC5 5 10 PC0
PC4 6 9 PC1
PC3 7 8 PC2
MDT10F630P13 (DIP)
MDT10F630S13 (SOP)
Vdd 1 14 Vss
OSC1/PA5 2 13 PA0/CIN+
OSC2/PA4 3 12 PA1/CIN-
/MCLR 4 11 PA2/INT
PC5 5 10 PC0
PC4 6 9 PC1
PC3 7 8 PC2
